2016年6月24日，科技部高技术中心对外发布了，国家重点研发计划“纳米科技”重点专项的2016年度项目布局。太赫兹研究院参与申报的CMOS兼容的太赫兹源，探测和阵列成像项目，获得科技部审批通过。课题名称“THz成像仪关键工艺技术及测试技术”，课题编号2016YFA0202204。

 项目的参与单位有中国科学院上海技术物理研究所、中国科学院半导体研究所、天津大学、华讯方舟科技有限公司太赫兹研究院。项目团队集中了国内太赫兹领域的优势团队（院士3人、杰青4人、长江1人、国家千人1人、IEEE Fellow 2人、百人计划4人、青年千人2人），依托“半导体超晶格国家重点实验室（吴南健团队）”、“集成光电子学国家重点实验室（陈弘达团队）”、“红外物理国家重点实验室（戴宁团队）”、“成像与感知微电子系统天津市重点实验室（马建国任主任）”和“深圳市太赫兹科技创新研究院（刘盛纲院士任院长）”开展项目研究。项目自2017年01月—2021年12月，共 60月，项目采用CMOS/BiCMOS 工艺来实现太赫兹源、探测和阵列成像，围绕室温CMOS 兼容工艺的太赫兹成像仪这样一个重要应用目标，开展从基础研究到应用研究全产业链条研发，通过一系列的创新使我国在室温CMOS太赫兹成像仪领域进入国际一流行列。